Технічний опис 1N5418US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5418US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5418US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 400V 3A 150ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
| 1N5418US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 3A 2-Pin MELF T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
1N5418US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5418US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 400V UFR,FRR SQ SMT TR |
товару немає в наявності |