на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 669.06 грн |
100+ | 612.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5418US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5418US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N5418US | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 400V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||
1N5418US | Виробник : Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 400V 3A 150ns 2-Pin MELF-B |
товар відсутній |
||
1N5418US | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 400V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||
1N5418US | Виробник : MICROSEMI |
E_SQ_MELF/SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (100-500NS) 1N5418 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
1N5418US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товар відсутній |