1N5419 BK Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor CorpDescription: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM
Packaging: Bulk
Package / Case: R-4, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: GPR-4AM
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5419 BK Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A GPR-4AM, Packaging: Bulk, Package / Case: R-4, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: GPR-4AM, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V.
Інші пропозиції 1N5419 BK
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5419 BK | Виробник : Central Semiconductor |
Central Semiconductor |
товару немає в наявності |