
1N5419US Sensitron Semiconductors
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 185.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5419US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 500V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V.
Інші пропозиції 1N5419US за ціною від 409.16 грн до 409.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5419US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
1N5419US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
1N5419US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
1N5419US | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
|
1N5419US | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
1N5419US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |