Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 1N5420US

1N5420US Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 1N5420US Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D-5B, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, E, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 1N5420US

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
1N5420US	Microchip Technology	Rectifiers 660V 3A UFR,FRR SQ SMT	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
1N5420US	Microchip Technology	Diode Switching 600V 3A 2-Pin E-MELF Bag	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
1N5420US	Sensitron Semiconductors	Diode Switching 600V 3A 2-Pin MELF-B	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.