Технічний опис 1N5420US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5420US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5420US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
 Diode Switching 600V 3A 2-Pin MELF-B |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5420US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 400ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5420US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5420US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 660V 3A UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |