на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.19 грн |
| 100+ | 394.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5550 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5550
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5550 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 200V 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
товару немає в наявності |
|
| 1N5550 | Виробник : MICROSEMI |
E/5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5550 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| 1N5550 | Виробник : Semtech |
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode 1N5550 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
1N5550 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |