Технічний опис 1N5551US-T/R Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5551US-T/R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5551US-T/R | Виробник : Microchip Technology |
 Diode Switching 400V 5A 2-Pin B-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5551US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 400V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
1N5551US-T/R | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 400V 5A 2-Pin B-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5551US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5551US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT TR |
товару немає в наявності |