Технічний опис 1N5552E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A.
Інші пропозиції 1N5552E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5552E3 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin Case B Bag |
товар відсутній |
|
 |
1N5552E3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A |
товар відсутній |
|
 |
1N5552E3 | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers Std Rectifier _ B-Body |
товар відсутній |