1N5552US/TR Microchip Technology
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.50 грн |
| 100+ | 499.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5552US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5552US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5552US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5552US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 600V 5A 2-Pin B-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5552US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |