Технічний опис 1N5618US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5618US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5618US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF T/R |
товар відсутній |
|
 |
1N5618US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 2000ns 2-Pin A-MELF T/R |
товар відсутній |
|
 |
1N5618US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V |
товар відсутній |
|
 |
1N5618US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |