
1N5619E3 Microchip Technology
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 356.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5619E3 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5619E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
1N5619E3 | Виробник : Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N5619E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
|
1N5619E3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
|
1N5619E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |