Технічний опис 1N5620US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Supplier Device Package: D-5A, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, A, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 1N5620US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5620US | Microchip Technology |
Rectifiers 800V 1A Std Rectifier SQ SMT |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
1N5620US | Microchip Technology |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin A-MELF Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 1N5620US |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 800V 1A Std Rectifier SQ SMT
Rectifiers 800V 1A Std Rectifier SQ SMT
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 1N5620US |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 800V 1A 2-Pin A-MELF Bag
Diode Switching 800V 1A 2-Pin A-MELF Bag
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



