
1N5620US Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 497.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5620US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N5620US за ціною від 576.74 грн до 629.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5620US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5620US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
1N5620US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
1N5620US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
|
1N5620US | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V |
товару немає в наявності |