Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 1N5647A

1N5647A Microchip Technology

Name: 1N5647A
Brand: Microchip Technology
SKU: 1859270-7
Price: 1232.97 UAH
Availability: InStock

Виробник: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1232.97 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 1N5647A Microchip Technology

Category: Unidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13, Mounting: THT, Type of diode: TVS, Leakage current: 5µA, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 28A, Semiconductor structure: unidirectional, Max. off-state voltage: 33.3V, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, кількість в упаковці: 100 шт.

Інші пропозиції 1N5647A

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
1N5647A	Виробник : Microchip / Microsemi	ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS	на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
1N5647A	Виробник : Microchip Technology	Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13	на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
1N5647A	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Unidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW кількість в упаковці: 100 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
1N5647A	Виробник : MICROSEMI	DO13/1500W UNIDIRECTINAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5647 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
1N5647A	Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Unidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.