1N5802 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 498.75 грн |
100+ | 446.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5802 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N5802 за ціною від 418.05 грн до 567.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5802 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N5802 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N5802 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N5802 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
1N5802 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 2.5A; tape; Ifsm: 35A; Ufmax: 0.975V Kind of package: tape Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 0.975V Load current: 2.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 35A Type of diode: rectifying Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
1N5802 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
1N5802 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 2.5A; tape; Ifsm: 35A; Ufmax: 0.975V Kind of package: tape Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 0.975V Load current: 2.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Max. forward impulse current: 35A Type of diode: rectifying Mounting: THT |
товару немає в наявності |