1N5802US Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 50V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 660.52 грн |
100+ | 590.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5802US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N5802US за ціною від 663.29 грн до 724.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5802US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|