1N5804 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.53 грн |
100+ | 355.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5804 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5804 за ціною від 71.60 грн до 422.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5804 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5804 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
1N5804 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5804 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5804 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
![]() |
1N5804 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
1N5804 | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
1N5804 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2.5A; tape; Ifsm: 35A; Ufmax: 0.975V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2.5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 35A Max. forward voltage: 0.975V Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
1N5804 | Виробник : Semtech |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
1N5804 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3.3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
||||||||
|
1N5804 | Виробник : Semtech |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
1N5804 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 2.5A; tape; Ifsm: 35A; Ufmax: 0.975V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 2.5A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 35A Max. forward voltage: 0.975V Reverse recovery time: 25ns |
товару немає в наявності |