на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 553.52 грн |
| 10+ | 492.53 грн |
| 100+ | 354.89 грн |
| 500+ | 308.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5806C.TR Semtech
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.5A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V.
Інші пропозиції 1N5806C.TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5806C.TR | Виробник : Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V |
товару немає в наявності |