
1N5806E3 Microchip Technology
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 354.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5806E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V.
Інші пропозиції 1N5806E3 за ціною від 372.54 грн до 459.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5806E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
1N5806E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5806E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5806E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
1N5806E3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
1N5806E3 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |