Технічний опис 1N5806E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V.
Інші пропозиції 1N5806E3 за ціною від 367.74 грн до 471.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5806E3 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
1N5806E3 | Microchip Technology |
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
1N5806E3 | Microchip Technology |
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 1N5806E3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 410.85 грн |
| 100+ | 367.74 грн |
| 1N5806E3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 471.46 грн |
| 1N5806E3 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag
Diode Switching 150V 2.5A 2-Pin Case A Bag
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 471.46 грн |




