Технічний опис 1N5807US EIC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SQ-MELF, B, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 1N5807US за ціною від 20.81 грн до 1917.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5807US | EIC Semiconductor |
Diode Switching 50V 6A 2-Pin SMB |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
1N5807US | Semtech |
Rectifiers D MET 6A SFST 50V SURFACE MOUN |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 1N5807US |
![]() |
Виробник: EIC Semiconductor
Diode Switching 50V 6A 2-Pin SMB
Diode Switching 50V 6A 2-Pin SMB
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 680+ | 20.81 грн |



