 
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1272+ | 9.74 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5807US EIC
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V. 
Інші пропозиції 1N5807US за ціною від 8.41 грн до 2077.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 1N5807US | Виробник : EIC |  Diode Switching 50V 6A 2-Pin SMB | на замовлення 2685 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|  | 1N5807US | Виробник : Semtech |  Rectifiers D MET 6A SFST 50V SURFACE MOUN | на замовлення 207 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 1N5807US | Виробник : Microchip Technology |  Rectifier Diode Switching 50V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| 1N5807US | Виробник : Sensitron Semiconductors |  Diode Switching 50V 6A 2-Pin MELF-B | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||
|   | 1N5807US | Виробник : Microchip Technology |  Rectifier Diode Switching 50V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|  | 1N5807US | Виробник : Microchip Technology |  Description: DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| 1N5807US | Виробник : Semtech Corporation |  Description: DIODE GEN PURP 50V 6A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності |