
1N5809E3/TR Microchip Technology
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
125+ | 483.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5809E3/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A.
Інші пропозиції 1N5809E3/TR за ціною від 494.90 грн до 520.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5809E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
1N5809E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
1N5809E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
1N5809E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
1N5809E3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |