Технічний опис 1N5809US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5809US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5809US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5809US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5809US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 110V 3A UFR,FRR SQ SMT TR |
товару немає в наявності |