на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 609.91 грн |
| 10+ | 600.32 грн |
| 100+ | 486.96 грн |
| 250+ | 486.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5811E3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.
Інші пропозиції 1N5811E3 за ціною від 626.51 грн до 639.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5811E3 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIALPackaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
1N5811E3 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
1N5811E3 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
1N5811E3 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns Bag |
товару немає в наявності |