Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 1N5811US/TR
1N5811US/TR

1N5811US/TR Microchip Technology

LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
126+431.78 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5811US/TR Microchip Technology

Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V.

Інші пропозиції 1N5811US/TR за ціною від 447.55 грн до 693.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology LDS-0168-1,+1N5807US-1N5809US-1N5811US(URS),+MIL-PRF-19500-477.pdf Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.59 грн
126+447.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+682.75 грн
25+671.63 грн
50+637.00 грн
100+579.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+693.79 грн
10+682.75 грн
25+671.63 грн
50+637.00 грн
100+579.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1N5811US/TR Microchip Technology 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR LDS-0168-1,+1N5807US-1N5809US-1N5811US(URS),+MIL-PRF-19500-477.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+488.59 грн
126+447.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR LDS-0168-1%2C+1N5807US-1N5809US-1N5811US%28URS%29%2C+MIL-PRF-19500-477.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+508.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21+682.75 грн
25+671.63 грн
50+637.00 грн
100+579.97 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+693.79 грн
10+682.75 грн
25+671.63 грн
50+637.00 грн
100+579.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5811US/TR 1n5807us1n5809us1n5811usurs.pdf
1N5811US/TR
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.