1N5811USE3 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 587.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5811USE3 Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A.
Інші пропозиції 1N5811USE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N5811USE3 | Microchip Technology |
 Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N5811USE3 |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag
Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)