1N5811USE3 Microchip Technology
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 524.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5811USE3 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A.
Інші пропозиції 1N5811USE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5811USE3 | Виробник : Microchip Technology |
 Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
1N5811USE3 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
1N5811USE3 | Виробник : Microchip Technology |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5811USE3 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A |
товару немає в наявності |
|
 |
1N5811USE3 | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 150V 3A Lead-Free UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |