
1N5812 Microchip Technology
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4035.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5812 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 15 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-203AA, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N5812
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5812 Код товару: 118740
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||
![]() |
1N5812 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N5812 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N5812 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N5812 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 15 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
1N5812 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |