1N5818G

1N5818G ON Semiconductor


1n5817-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.97 грн
3000+11.99 грн
5000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5818G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 550mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5818, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 1N5818G за ціною від 3.49 грн до 34.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N5818-G 1N5818-G Виробник : Comchip Technology Schottky Diodes & Rectifiers VRRM=30V, IAV=1.0A
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.48 грн
19+17.64 грн
100+8.72 грн
500+5.86 грн
1000+4.60 грн
2500+4.04 грн
5000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : onsemi 1n5817-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V
на замовлення 14523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.60 грн
18+18.68 грн
100+11.78 грн
500+9.62 грн
1000+8.23 грн
2000+7.18 грн
5000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : onsemi 1n5817-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
15+20.39 грн
100+12.98 грн
500+9.15 грн
1000+8.17 грн
2000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013660491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5818G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5818
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.82 грн
35+23.43 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : ON Semiconductor 1n5817-d.pdf Diode Schottky Si 30V 1A 2-Pin DO-41 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5818G 1N5818G Виробник : ONSEMI 1n5817-d.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.875V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: CASE59
Max. forward voltage: 0.875V
Max. forward impulse current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.