
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
898+ | 13.59 грн |
1015+ | 12.03 грн |
1103+ | 11.07 грн |
1273+ | 9.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5819G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 600mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5819, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 1N5819G за ціною від 3.65 грн до 19.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5819G Код товару: 129197
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V |
на замовлення 4313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V |
на замовлення 5079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 13717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5819 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 47382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5819-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5819G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
1N5819G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5819G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: CASE59 Max. forward voltage: 0.9V Max. forward impulse current: 25A |
товару немає в наявності |