1N5820USE3/TR Microchip Technology

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A B SQMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 1025.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5820USE3/TR Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 3A B SQMELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N5820USE3/TR за ціною від 1104.30 грн до 1104.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5820USE3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 20 V |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
1N5820USE3/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |