1N5822H Taiwan Semiconductor
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.40 грн |
| 11+ | 32.74 грн |
| 100+ | 17.07 грн |
| 500+ | 15.82 грн |
| 1250+ | 10.67 грн |
| 2500+ | 9.42 грн |
| 10000+ | 8.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5822H Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V.
Інші пропозиції 1N5822H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5822H | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |