
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5145.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5822US Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V.
Інші пропозиції 1N5822US за ціною від 4709.28 грн до 21660.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
1N5822US | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |