Технічний опис 1N6066A Sensitron Semiconductors
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V, Supplier Device Package: DO-13, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 124V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
Інші пропозиції 1N6066A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6066A | Виробник : Microchip Technology |
 TVS Diode Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6066A | Виробник : Microchip Technology |
TVS Diode Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
товару немає в наявності |
|
|
|
1N6066A | Виробник : Microchip Technology |
TVS Diode Single Bi-Dir 110V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag |
товару немає в наявності |
|
| 1N6066A | Виробник : MICROSEMI |
кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
1N6066A | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 110VWM 182VC DO13 Packaging: Bulk Package / Case: DO-13 Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 110V Supplier Device Package: DO-13 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 124V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 182V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |