Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6073 Semtech
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N6073
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6073 | Microchip Technology |
 Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
1N6073 | Microchip Technology |
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N6073 | Semtech Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
1N6073 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.04 V @ 9.4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 850mA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
1N6073 | Microchip Technology |
Rectifiers 50V 3A UFR,FRR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N6073 |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6073 |
|
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag
Diode Switching 50V 3A 2-Pin Case A Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6073 |
|
Виробник: Semtech Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6073 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.04 V @ 9.4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 850mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.04 V @ 9.4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 850mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6073 |
|
Виробник: Microchip Technology
Rectifiers 50V 3A UFR,FRR
Rectifiers 50V 3A UFR,FRR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.