Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 1N6080US

1N6080US Microchip Technology

Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 100V 12A 30ns 2-Pin G-MELF Bag

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 1N6080US Microchip Technology

Description: DIODE STANDARD 100V 2A GMELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.

Інші пропозиції 1N6080US

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	1N6080US	Виробник : MICROSEMI	G-MELF/ 1N6080U кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	1N6080US	Виробник : Microchip Technology	Description: DIODE STANDARD 100V 2A GMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, G Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: G-MELF (D-5C) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 155°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 37.7 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.