1N60L UMW
Виробник: UMWDescription: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.98 грн |
| 10+ | 47.76 грн |
| 25+ | 39.61 грн |
| 100+ | 28.55 грн |
| 250+ | 24.29 грн |
| 500+ | 21.68 грн |
| 1000+ | 19.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N60L UMW
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 1N60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N60L | Виробник : UTC |
|
на замовлення 572120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
1N60L | Виробник : UMW |
Description: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |