Технічний опис 1N6461US/TR Microchip Technology
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC B SQ-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 56A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 5.6V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V, Power - Peak Pulse: 500W, Power Line Protection: No.
Інші пропозиції 1N6461US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6461US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Diode TVS Single Uni-Dir 5V 500W 2-Pin E-MELF T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
1N6461US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 5VWM 9VC B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 56A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V Supplier Device Package: B, SQ-MELF Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6461US/TR | Виробник : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes |
товару немає в наявності |