1N6471E3 Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
1N6471E3
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6471E3 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 400mA, Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 400 V.

Інші пропозиції 1N6471E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N647-1E3 1N647-1E3 Виробник : Microchip Technology Description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 400 V
товар відсутній
1N647-1E3 1N647-1E3 Виробник : Microchip Technology 1N647_1-1593368.pdf Rectifiers Switching Diode
товар відсутній
1N6471E3 1N6471E3 Виробник : Microchip Technology MSCOS03680_1-2513996.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes
товар відсутній