Технічний опис 1N6474US/TR Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, G, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V, Supplier Device Package: G-MELF (D-5C), Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.
Інші пропозиції 1N6474US/TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N6474US/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
1N6474US/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
1N6474US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, G Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 181A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V Supplier Device Package: G-MELF (D-5C) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 33V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|
![]() |
1N6474US/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |