1N6474USe3

1N6474USe3 Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: G, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: G, Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6474USe3 Microchip Technology

Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC G AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: G, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V, Supplier Device Package: G, Axial, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 33V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No.

Інші пропозиції 1N6474USe3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N6474USe3 1N6474USe3 Виробник : Microchip Technology 1N6469_1N6476-3442293.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V Lead-Free Uni-Directional TVS SQ SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.