
1N6479-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 9.60 грн |
3000+ | 8.51 грн |
7500+ | 8.15 грн |
10500+ | 6.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6479-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N6479-E3/96 за ціною від 10.86 грн до 35.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N6479-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 12929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N6479-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N6479-E3/96 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
1N6479-E3/96 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |