Технічний опис 1N6479HE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB.
Інші пропозиції 1N6479HE3/96
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
1N6479HE3/96 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
1N6479HE3/96 | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 1N6479HE3/96 |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6479HE3/96 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



