1N6482-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 8.49 грн |
3000+ | 7.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6482-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N6482-E3/96 за ціною від 5.16 грн до 30.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 5575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
на замовлення 5575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt |
на замовлення 8550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N6482-E3/96 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |