Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > 1N6483-E3/96
1N6483-E3/96

1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n6478.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції 1N6483-E3/96 за ціною від 6.49 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay General Semiconductor 1n6478.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 15818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.97 грн
17+21.87 грн
100+13.36 грн
500+9.09 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.87 грн
13+25.46 грн
100+15.27 грн
500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Виробник : Vishay 1n6478.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 Виробник : VISHAY 1n6478.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.1V
Case: DO213AB; GL41
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 8pF
Leakage current: 0.2mA
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Quantity in set/package: 1500pcs.
Kind of package: 7 inch reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.