 
1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
 Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
                                                Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 9.99 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V. 
Інші пропозиції 1N6483-E3/96 за ціною від 6.49 грн до 33.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |  Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt | на замовлення 15818 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 2990 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | 1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | 1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay |  Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Виробник : VISHAY |  Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.1V Case: DO213AB; GL41 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Capacitance: 8pF Leakage current: 0.2mA Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 0.8kV Quantity in set/package: 1500pcs. Kind of package: 7 inch reel | товару немає в наявності |