Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > 1N6483-E3/96
1N6483-E3/96

1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1n6478.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.

Інші пропозиції 1N6483-E3/96 за ціною від 12.45 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor 1n6478.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 15818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Vishay Semiconductors 1n6478.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1n6478.pdf
1N6483-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.77 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1n6478.pdf
1N6483-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 15818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1n6478.pdf
1N6483-E3/96
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.