1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 9.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N6483-E3/96 за ціною від 5.92 грн до 100.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt |
на замовлення 15818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N6483-E3/96 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt |
на замовлення 13646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|