Технічний опис 1N6483HE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB.
Інші пропозиції 1N6483HE3/97
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N6483HE3/97 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
товар відсутній |
||
1N6483HE3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
товар відсутній |