Технічний опис 1N6484-E3/97 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N6484-E3/97
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6484-E3/97 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6484-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6484-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM |
товару немає в наявності |