Технічний опис 1N649/TR Microchip Technology
Description: DIODE GP REV 600V 400MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 400mA, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N649/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N649/TR | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 0.4A 2-Pin DO-35 T/R |
товару немає в наявності |
|
| 1N649/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Signal or Computer Diode |
товару немає в наявності |
||
 |
1N649/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GP REV 600V 400MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 600 V |
товару немає в наявності |