Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6628US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: A-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V.
Інші пропозиції 1N6628US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6628US | MICROSEMI |
E/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6628кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
1N6628US | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
1N6628US | Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
1N6628US | Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1N6628US |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: A-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: A-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6628US |
![]() |
Виробник: Sensitron Semiconductors
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6628US |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.




