на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1394.73 грн |
| 250+ | 1276.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6628US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.75A, Supplier Device Package: A-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V.
Інші пропозиції 1N6628US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6628US | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6628US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
1N6628US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 600V 4A 30ns 2-Pin MELF-B |
товару немає в наявності |
|
| 1N6628US | Виробник : MICROSEMI |
E/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N6628 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
1N6628US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 660 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 660 V |
товару немає в наявності |