1N6642USE3 Microchip Technology
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 522.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6642USE3 Microchip Technology
Description: DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 300mA, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 75 V.
Інші пропозиції 1N6642USE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6642USE3 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 75 V |
товар відсутній |