1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-61B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.17 грн |
| 6000+ | 7.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS306TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-61AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: SC-61B, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1SS306TE85LF за ціною від 8.54 грн до 156.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1SS306TE85LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SC-61B Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 8863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
1SS306TE85LF | Виробник : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes 0.1A 200V Switching High-Speed Diode |
на замовлення 23043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
1SS306TE85LF Код товару: 85955
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товару немає в наявності
|