1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 2.29 грн |
| 16000+ | 1.83 грн |
| 24000+ | 1.8 грн |
| 56000+ | 1.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: ESC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції 1SS387,L3F за ціною від 1.72 грн до 16.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1SS387,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: ESC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 110123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1SS387,L3F | Виробник : Toshiba |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode |
на замовлення 494650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|