Технічний опис 20ETS12S
- DIODE, 20A 1200V
- Diode Type:Standard Recovery
- Voltage Vrrm:1200V
- Av Current If:20A
- Max Current Ifs:300A
- Diode Case Style:D2-PAK
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Case Style:D2-PAK
- Current Ifsm:300A
- Forward Current:10A
- Forward Voltage:1V
- Termination Type:SMD
Інші пропозиції 20ETS12S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 20ETS12S | Виробник : IR |
07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
20ETS12S | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 1200V 20A TO263ABPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|
|
20ETS12S | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-20ETS12S-M3 |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| TL082CDT Код товару: 42273
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: ±18 V
BW,MHz: 4 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SO-8
Vc, V: ±18 V
BW,MHz: 4 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV
Температурний діапазон: 0…+70°C
Монтаж: SMD
у наявності: 976 шт
872 шт - склад
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
38 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
36 шт - РАДІОМАГ-Київ
38 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |



