Технічний опис 20ETS12S IR
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції 20ETS12S за ціною від 32.7 грн до 36.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 20ETS12S | Виробник : IR |
 TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 20ETS12S | Виробник : VISHAY |
08+ TO263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
 |
20ETS12S Код товару: 28559 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні Корпус: D2PAK Uзвор., V: 1200 V Iвипр., A: 20 A Опис: Випрямний Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1,1 V |
товар відсутній
|
|
|||||||
 |
20ETS12S | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||
 |
20ETS12S | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товар відсутній |
|||||||
 |
20ETS12S | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers RECOMMENDED ALT VS-20ETS12S-M3 |
товар відсутній |